SWHA069R06VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA069R06VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA069R06VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA069R06VT даташит

 ..1. Size:916K  samwin
 swi069r06vt swha069r06vt.pdf pdf_icon

SWHA069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m )@VGS=4.5V (Typ 6.0m )@VGS=10V RDS(ON) 7.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m @VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application

 ..2. Size:910K  samwin
 swha069r06vt.pdf pdf_icon

SWHA069R06VT

SW069R06VT N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 60A Low RDS(ON) (Typ 5.7m )@VGS=4.5V 1 8 2 7 (Typ 4.9m )@VGS=10V 6 RDS(ON) 5.7m @VGS=4.5V 3 Low Gate Charge (Typ 84nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 4.9m @VGS=10V 100% Avalanche Tested D Application Electronic Ballast, Motor Control Inverter 4.G

 6.1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWHA069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m )@VGS=4.5V ID 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9.0m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m @VGS=10V

 6.2. Size:747K  samwin
 swha069r10vs.pdf pdf_icon

SWHA069R06VT

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9m )@VGS=4.5V 1 8 ID 60A Low RDS(ON) (Typ 7m )@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) 9m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 5 4 Improved dv/dt Capability 7m @VGS=10V 100% Avalanche Tested Application Li Battery Protect Board, D Synchronous

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWH065R03VLT, SWH110R03VT, SWH160R02VT, SWHA018R03VLT, SWHA020R03VLT, SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, 75N75, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V