SWHA069R06VT
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWHA069R06VT
Маркировка: SW069R06VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 60
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 83
nC
trⓘ -
Время нарастания: 89
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 442
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075
Ohm
Тип корпуса:
DFN5X6
Аналог (замена) для SWHA069R06VT
SWHA069R06VT
Datasheet (PDF)
..1. Size:916K samwin
swi069r06vt swha069r06vt.pdf 
SW069R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 DFN5*6 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 60A Low RDS(ON) (Typ 7.0m)@VGS=4.5V (Typ 6.0m)@VGS=10V RDS(ON) :7.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 83nC) Improved dv/dt Capability 6.0m@VGS=10V 1 G(4) D(5,6,7,8) 100% Avalanche Tested 2 3 S(1,2,3) D Application
..2. Size:910K samwin
swha069r06vt.pdf 
SW069R06VTN-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFETFeaturesDFN5*6BVDSS : 60V High ruggednessID : 60A Low RDS(ON) (Typ 5.7m)@VGS=4.5V1 82 7(Typ 4.9m)@VGS=10V6 RDS(ON) :5.7m@VGS=4.5V3 Low Gate Charge (Typ 84nC) 54 Improved dv/dt Capability 4.9m@VGS=10V 100% Avalanche TestedD Application:Electronic Ballast, Motor ControlInverter 4.G
6.1. Size:784K samwin
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf 
SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V
6.2. Size:747K samwin
swha069r10vs.pdf 
SW069R10VSN-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFETFeaturesDFN5*6BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9m)@VGS=4.5V18ID : 60ALow RDS(ON) (Typ 7m)@VGS=10V 2 763 RDS(ON) : 9m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC)54 Improved dv/dt Capability 7m@VGS=10V 100% Avalanche Tested Application: Li Battery Protect Board,DSynchronous
6.3. Size:708K samwin
swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf 
SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 70A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 9.0m@VGS=4.5V 1 100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3 A
Другие MOSFET... FQT7N10L
, FDP083N15A
, FQU10N20C
, FDP075N15A
, FQU11P06
, FQU12N20
, FDPF085N10A
, FQU13N06L
, IRFZ44
, FDB86102LZ
, FQU17P06
, FQU1N60C
, FDP085N10A
, FQU20N06L
, FQU2N100
, FQU2N60C
, FDMC8030
.
