SWHA13N65K2. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWHA13N65K2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SWHA13N65K2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWHA13N65K2 даташит
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf
SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS 650V High ruggedness 5 ID 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24 ) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3
swk130r06vt swha130r06vt swi130r06vt.pdf
SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS 60V Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=4.5V (Typ 12m )@VGS=10V 5 ID 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) 14m @ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m @ VGS=1
swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf
SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1
swk110r06vt swha110r06vt.pdf
SW110R06VT N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features SOP8 DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 11A 1 8 5 Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V 6 2 7 (Typ 10m )@VGS=10V 7 6 RDS(ON) 11m @VGS=4.5V 3 8 4 5 Low Gate Charge (Typ 69nC) 4 10m @VGS=10V 3 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 D Application Electronic Ballast,
Другие IGBT... SWHA026R03VT, SWHA056R68E7T, SWHA065R03VLT, SWHA069R06VT, SWHA106R95VS, SWHA110R06VT, SWHA120R45VT, SWHA130R06VT, 7N60, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, SWHA80N06V1, SWHA80N08V1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor









