SWHA80N06V1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWHA80N06V1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SWHA80N06V1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWHA80N06V1 даташит

 ..1. Size:718K  samwin
 swha80n06v1.pdf pdf_icon

SWHA80N06V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features DFN5*6 BVDSS 60V High ruggedness ID 14A Low RDS(ON) (Typ 6.6m )@VGS=4.5V 1 8 (Typ 5.4m )@VGS=10V 2 7 RDS(ON) 6.6m @VGS=4.5V 6 3 Low Gate Charge (Typ 94nC) 5 4 5.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification, D

 6.1. Size:825K  samwin
 swha80n08v1.pdf pdf_icon

SWHA80N06V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 80V DFN5*6 High ruggedness ID 11A Low RDS(ON) (Typ 9.9m )@VGS=4.5V 1 8 (Typ 8.9m )@VGS=10V RDS(ON) 9.9m @VGS=4.5V 2 7 Low Gate Charge (Typ 79nC) 6 3 5 8.9m @VGS=10V 4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested Application Synchronous Rectification,

Другие IGBT... SWHA130R06VT, SWHA13N65K2, SWHA15N04V, SWHA35N10V, SWHA40N06V, SWHA50P03, SWHA60N04V, SWHA7N65M, AON7403, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT