SWI085R06VS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWI085R06VS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI085R06VS
SWI085R06VS Datasheet (PDF)
swi085r06vs.pdf

SW085R06VSN-channel Enhanced mode TO-251 MOSFETFeaturesTO-251BVDSS : 60V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 13m)@VGS=4.5V(Typ 9m)@VGS=10VRDS(ON) :13m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 19nC)9m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application:Synchronous Rectification,Li Battery Protect Board, Inverter 1.
sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A
swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf

SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-251TO-252 DFN5*6BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A1 8Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)6354 Improved dv/dt Capability 9.2m@VGS=10V 100% Avalanche Tested1 122 Applicati
Другие MOSFET... SWHA7N65M , SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , AO4468 , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , SWI19N10 .
History: AM10N30-600I | NTMS5P02R2SG | SI4831DY
History: AM10N30-600I | NTMS5P02R2SG | SI4831DY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor