Справочник MOSFET. SWI100R10VT

 

SWI100R10VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI100R10VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI100R10VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI100R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:836K  samwin
 swp100r10vt swi100r10vt swu100r10vt.pdf pdf_icon

SWI100R10VT

SW100R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-262 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-262 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 69A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V (Typ 9.5m)@VGS=10V RDS(ON) : 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 73nC) 9.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 3 3 3

Другие MOSFET... SWHA80N06V1 , SWHA80N08V1 , SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , 5N50 , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , SWI19N10 , SWI1N55D .

History: IRF8788PBF-1 | SM4927BSKC | RFD16N03LSM | SWN7N65D | SUN830DN | SWI3N90U | J174

 

 
Back to Top

 


 
.