SWI100R10VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI100R10VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI100R10VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI100R10VT даташит

 ..1. Size:836K  samwin
 swp100r10vt swi100r10vt swu100r10vt.pdf pdf_icon

SWI100R10VT

SW100R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-262 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-262 BVDSS 100V High ruggedness ID 69A Low RDS(ON) (Typ 11m )@VGS=4.5V (Typ 9.5m )@VGS=10V RDS(ON) 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 73nC) 9.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 3 3 3

Другие IGBT... SWHA80N06V1, SWHA80N08V1, SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, IRFP064N, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D