SWI100R10VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI100R10VT
Маркировка: SW100R10VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
trⓘ - Время нарастания: 87 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI100R10VT
SWI100R10VT Datasheet (PDF)
swp100r10vt swi100r10vt swu100r10vt.pdf
SW100R10VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-262 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-262 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 69A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V (Typ 9.5m)@VGS=10V RDS(ON) : 11m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 73nC) 9.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 3 3 3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD