Справочник MOSFET. SWI120R45VT

 

SWI120R45VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI120R45VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI120R45VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI120R45VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1050K  samwin
 swk120r45vt swha120r45vt swi120r45vt.pdf pdf_icon

SWI120R45VT

SW120R45VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness DFN5*6 TO-251 SOP-8 BVDSS : 45V Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V (Typ 10.5m)@VGS=10V 5 ID : 12A 6 1 8 7 Low Gate Charge (Typ 45nC) 8 2 7 RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 6 3 4 4 5 100% Avalanche Tested 3 10.5m@VGS

Другие MOSFET... SWHC13N65K2 , SWI051R08ES , SWI055R03VT , SWI069R06VT , SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , BS170 , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , SWI19N10 , SWI1N55D , SWI1N60 , SWI200R10VT .

History: STH110N10F7-6 | SIS443DN | PSMN3R0-30YLD

 

 
Back to Top

 


 
.