SWI120R45VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI120R45VT
Маркировка: SW120R45VT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
trⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI120R45VT
SWI120R45VT Datasheet (PDF)
swk120r45vt swha120r45vt swi120r45vt.pdf
SW120R45VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness DFN5*6 TO-251 SOP-8 BVDSS : 45V Low RDS(ON) (Typ 12m)@VGS=4.5V (Typ 10.5m)@VGS=10V 5 ID : 12A 6 1 8 7 Low Gate Charge (Typ 45nC) 8 2 7 RDS(ON) : 12m@VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 6 3 4 4 5 100% Avalanche Tested 3 10.5m@VGS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SQM120N03-1M5L | FQPF6N90C
History: SQM120N03-1M5L | FQPF6N90C
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918