SWI120R45VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI120R45VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI120R45VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI120R45VT даташит

 ..1. Size:1050K  samwin
 swk120r45vt swha120r45vt swi120r45vt.pdf pdf_icon

SWI120R45VT

SW120R45VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness DFN5*6 TO-251 SOP-8 BVDSS 45V Low RDS(ON) (Typ 12m )@VGS=4.5V (Typ 10.5m )@VGS=10V 5 ID 12A 6 1 8 7 Low Gate Charge (Typ 45nC) 8 2 7 RDS(ON) 12m @VGS=4.5V Improved dv/dt Capability 6 3 4 4 5 100% Avalanche Tested 3 10.5m @VGS

Другие IGBT... SWHC13N65K2, SWI051R08ES, SWI055R03VT, SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, IRF730, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT