Справочник MOSFET. SWI160R12VT

 

SWI160R12VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI160R12VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI160R12VT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI160R12VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  samwin
 swi160r12vt swd160r12vt.pdf pdf_icon

SWI160R12VT

SW160R12VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 120V High ruggednessID : 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m)@VGS=4.5VLow RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 18.3m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC)16.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested3 3 2 Application:Synchronous Rectifica

Другие MOSFET... SWI075R06ET , SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , IRF840 , SWI19N10 , SWI1N55D , SWI1N60 , SWI200R10VT , SWI20N20D , SWI230R45VT , SWI2N60DC , SWI4N60D .

History: ME4920-G | STB60NF10T4 | IRF6811S | TPC6004 | FM400HB1D5C | SI4N65F | IPU33CN10N

 

 
Back to Top

 


 
.