Справочник MOSFET. SWI160R12VT

 

SWI160R12VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI160R12VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI160R12VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  samwin
 swi160r12vt swd160r12vt.pdf pdf_icon

SWI160R12VT

SW160R12VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252BVDSS : 120V High ruggednessID : 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m)@VGS=4.5VLow RDS(ON) (Typ 16.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 18.3m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC)16.4m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 12 2 100% Avalanche Tested3 3 2 Application:Synchronous Rectifica

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NP80N04MLG | PNMET20V06E | IXFX30N110P | FDC654P | 2SK1501 | DCCF080M120A2 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.