SWI160R12VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI160R12VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 204 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI160R12VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI160R12VT даташит

 ..1. Size:691K  samwin
 swi160r12vt swd160r12vt.pdf pdf_icon

SWI160R12VT

SW160R12VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 120V High ruggedness ID 50A Low RDS(ON) (Typ 18.3m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 16.4m )@VGS=10V RDS(ON) 18.3m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 64nC) 16.4m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 2 Application Synchronous Rectifica

Другие IGBT... SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, IRF840, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D