SWI19N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI19N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI19N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI19N10 даташит

 ..1. Size:636K  samwin
 swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf pdf_icon

SWI19N10

SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS 100V TO-220 TO-252 TO-251 ID 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1 )@VGS=10V RDS(ON) 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa

Другие IGBT... SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, 20N60, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K