Справочник MOSFET. SWI19N10

 

SWI19N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI19N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI19N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI19N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  samwin
 swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf pdf_icon

SWI19N10

SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS :100V TO-220 TO-252 TO-251 ID : 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1)@VGS=10V RDS(ON) : 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa

Другие MOSFET... SWI085R06VS , SWI100R10VT , SWI110R06VT , SWI120R45VT , SWI130R06VT , SWI13N60K2 , SWI13N65K2 , SWI160R12VT , 20N60 , SWI1N55D , SWI1N60 , SWI200R10VT , SWI20N20D , SWI230R45VT , SWI2N60DC , SWI4N60D , SWI4N60K .

History: WMJ80R350S | GSM4822S | FDB9403-F085

 

 
Back to Top

 


 
.