Справочник MOSFET. SWI200R10VT

 

SWI200R10VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWI200R10VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 34 ns
   Выходная емкость (Cd): 165 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SWI200R10VT

 

 

SWI200R10VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  samwin
 swd200r10vt swi200r10vt.pdf

SWI200R10VT SWI200R10VT

SW200R10VT N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 36A Low RDS(ON) (Typ 19.5m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 19.5m@VGS=4.5V (Typ 18.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 86nC) 18.7m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 2 3 Application: Syn

 9.1. Size:703K  samwin
 swd20n20d swi20n20d.pdf

SWI200R10VT SWI200R10VT

SW20N20D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251 MOSFET TO-252 TO-251 Features BVDSS : 200V ID : 20A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.16)@VGS=10V RDS(ON) : 0.16 Low Gate Charge (Typ 37nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 Application:LED,DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Th

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: LNH06R200

 

 
Back to Top