SWI230R45VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI230R45VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI230R45VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI230R45VT даташит

 ..1. Size:753K  samwin
 swi230r45vt.pdf pdf_icon

SWI230R45VT

SW230R45VT N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS 45V TO-251 High ruggedness ID 30A Low RDS(ON) (Typ 23m )@VGS=4.5V RDS(ON) 23m @VGS=4.5V (Typ 19m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 26nC) 19m @VGS=10V 1 Improved dv/dt Capability 2 3 100% Avalanche Tested 2 Application DC-DC Converter, Motor 1.Gate 2.Drain 3.

Другие IGBT... SWI13N60K2, SWI13N65K2, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, IRFZ44, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03