SWI4N65DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI4N65DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI4N65DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI4N65DB даташит

 ..1. Size:757K  samwin
 swi4n65db.pdf pdf_icon

SWI4N65DB

SW4N65DB N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET TO-251 BVDSS 650V Features ID 4A High ruggedness RDS(ON) 1.7 Low RDS(ON) (Typ 1.7 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MO

 6.1. Size:789K  samwin
 swi4n65dc swnc4n65dc.pdf pdf_icon

SWI4N65DB

SW4N65DC N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N-S2 MOSFET TO-251 TO-251N-S2 BVDSS 650V Features ID 4A High ruggedness RDS(ON) 1.95 Low RDS(ON) (Typ 1.95 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application Charger,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener

 7.1. Size:840K  samwin
 swf4n65k swi4n65k swd4n65k.pdf pdf_icon

SWI4N65DB

SW4N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ13 nC) RDS(ON) 1 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 Application Adapter,LED,Charger, 2 2 2 3 3 3 TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Sour

 8.1. Size:628K  samwin
 sw4n60dc swi4n60dc swd4n60dc.pdf pdf_icon

SWI4N65DB

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 600V ID 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0 )@VGS=10V RDS(ON) 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 2 1 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application LED,Charge 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET is produce

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, IRFB4110, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, SWI5N30D, SWI6N65K, SWI70N10V, SWI7N60K