SWI4N65DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWI4N65DB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI4N65DB
SWI4N65DB Datasheet (PDF)
swi4n65db.pdf

SW4N65DB N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET TO-251 BVDSS : 650V Features ID : 4A High ruggedness RDS(ON) : 1.7 Low RDS(ON) (Typ 1.7)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application: LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MO
swi4n65dc swnc4n65dc.pdf

SW4N65DC N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N-S2 MOSFET TO-251 TO-251N-S2 BVDSS : 650V Features ID : 4A High ruggedness RDS(ON) : 1.95 Low RDS(ON) (Typ 1.95)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application: Charger,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener
swf4n65k swi4n65k swd4n65k.pdf

SW4N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ13 nC) RDS(ON) :1 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 Application:Adapter,LED,Charger, 2 2 2 3 3 3 TV-Power 1 1. Gate 2. Drain 3. Sour
sw4n60dc swi4n60dc swd4n60dc.pdf

SW4N60DCN-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252 BVDSS : 600VID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 121 2 100% Avalanche Tested2 33 Application: LED,Charge11. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET is produce
Другие MOSFET... SWI1N55D , SWI1N60 , SWI200R10VT , SWI20N20D , SWI230R45VT , SWI2N60DC , SWI4N60D , SWI4N60K , IRF640N , SWI4N65DC , SWI4N65K , SWI4N70K , SWI50P03 , SWI5N30D , SWI6N65K , SWI70N10V , SWI7N60K .
History: BUZ360 | SE150180GTS
History: BUZ360 | SE150180GTS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383