Справочник MOSFET. SWI5N30D

 

SWI5N30D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWI5N30D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SWI5N30D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI5N30D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  samwin
 swi5n30d swf5n30d.pdf pdf_icon

SWI5N30D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS : 300V High ruggedness ID : 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76)@VGS=10V RDS(ON) : 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

Другие MOSFET... SWI2N60DC , SWI4N60D , SWI4N60K , SWI4N65DB , SWI4N65DC , SWI4N65K , SWI4N70K , SWI50P03 , P55NF06 , SWI6N65K , SWI70N10V , SWI7N60K , SWI7N65K , SWI7N65K2 , SWI7N70K , SWI80N04V , SWI80N06V1 .

History: UTT20N06 | FHS80N08B

 

 
Back to Top

 


 
.