SWI5N30D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI5N30D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI5N30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI5N30D даташит

 ..1. Size:866K  samwin
 swi5n30d swf5n30d.pdf pdf_icon

SWI5N30D

SW5N30D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-220F MOSFET Features TO-251 TO-220F BVDSS 300V High ruggedness ID 5 A Low RDS(ON) (Typ 0.76 )@VGS=10V RDS(ON) 0.76 Low Gate Charge (Typ 12nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descriptio

Другие IGBT... SWI2N60DC, SWI4N60D, SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, IRF3710, SWI6N65K, SWI70N10V, SWI7N60K, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V, SWI80N06V1