SWI70N10V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI70N10V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 95 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI70N10V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI70N10V даташит

 ..1. Size:761K  samwin
 swi70n10v swd70n10v swp70n10v.pdf pdf_icon

SWI70N10V

SW70N10V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features BVDSS 95V TO-251 TO-252 TO-220 High ruggedness ID 70A Low RDS(ON) (Typ 12.4m )@VGS=4.5V Low RDS(ON) (Typ 11.7m )@VGS=10V RDS(ON) 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.7m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2

Другие IGBT... SWI4N60K, SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, SWI5N30D, SWI6N65K, AON6414A, SWI7N60K, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V, SWI80N06V1, SWI80N08V1, SWI830D1