SWI7N60K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SWI7N60K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI7N60K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SWI7N60K даташит
swf7n60k swi7n60k.pdf
SW7N60K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251MOSFET Features TO-220F TO-251 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 0.5 )@VGS=10V RDS(ON) 0.5 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Adaptor LED 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr
sw7n60d swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdf
SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3 3 TV
swf7n60d swp7n60d swi7n60d swd7n60d.pdf
SW7N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 BVDSS 600V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.05 )@VGS=10V RDS(ON) 1.05 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application UPS Inverter 3 3 3
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf
SW7N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF / TO-262N/DFN5*6 MOSFET Features TO-220 TO-251 TO-251N TO-252 BVDSS 650V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1 ) @VGS=10V RDS(ON) 1.1 1 1 1 1 2 2 Low Gate Charge (Typ 30nC) 2 2 3 3 3 3 Improved dv/dt Capability D DFN5*6 TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
Другие IGBT... SWI4N65DB, SWI4N65DC, SWI4N65K, SWI4N70K, SWI50P03, SWI5N30D, SWI6N65K, SWI70N10V, IRFB4115, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V, SWI80N06V1, SWI80N08V1, SWI830D1, SWI8N65D
History: 2SK1945-01S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet








