SWI80N06V1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWI80N06V1
Маркировка: SW80N06V1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 114 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 103 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 371 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI80N06V1
SWI80N06V1 Datasheet (PDF)
swi80n06v1.pdf
SW80N06V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 80A Low RDS(ON) (Typ 6.7m)@VGS=4.5V (Typ 5.5m)@VGS=10V RDS(ON) : 6.7m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 103nC) 5.5m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application: Synchronous Rectification, Li Bat
swi80n04v swd80n04v.pdf
SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 40V TO-251 TO-252 ID : 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m@VGS=4.5V RDS(ON) : 7.2m@VGS=4.5V Typ 6.0m@VGS=10V 6.0m@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application: LED, Charger, Ada
swi80n08v1.pdf
SW80N08V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-251 High ruggedness ID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V (Typ 9m)@VGS=10V RDS(ON) : 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
