SWI80N08V1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI80N08V1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI80N08V1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI80N08V1 даташит

 ..1. Size:771K  samwin
 swi80n08v1.pdf pdf_icon

SWI80N08V1

SW80N08V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features BVDSS 80V TO-251 High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=4.5V (Typ 9m )@VGS=10V RDS(ON) 10m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 79nC) 9m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 2 3 Li Battery

 7.1. Size:658K  samwin
 swi80n04v swd80n04v.pdf pdf_icon

SWI80N08V1

SW80N04V N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features BVDSS 40V TO-251 TO-252 ID 80A High ruggedness Low RDS(ON) Typ 7.2m @VGS=4.5V RDS(ON) 7.2m @VGS=4.5V Typ 6.0m @VGS=10V 6.0m @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 Application LED, Charger, Ada

 7.2. Size:630K  samwin
 swi80n06v1.pdf pdf_icon

SWI80N08V1

SW80N06V1 N-channel Enhanced mode TO-251 MOSFET Features TO-251 BVDSS 60V High ruggedness ID 80A Low RDS(ON) (Typ 6.7m )@VGS=4.5V (Typ 5.5m )@VGS=10V RDS(ON) 6.7m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 103nC) 5.5m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 2 Application Synchronous Rectification, Li Bat

Другие IGBT... SWI6N65K, SWI70N10V, SWI7N60K, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V, SWI80N06V1, IRF630, SWI830D1, SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K