SWI830D1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWI830D1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.54 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI830D1
SWI830D1 Datasheet (PDF)
swp830d1 swi830d1 swd830d1 swf830d1.pdf

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS : 500V Features ID : 5A High ruggedness RDS(ON) : 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application: DC-DCLEDPC 1 1
Другие MOSFET... SWI70N10V , SWI7N60K , SWI7N65K , SWI7N65K2 , SWI7N70K , SWI80N04V , SWI80N06V1 , SWI80N08V1 , K3569 , SWI8N65D , SWI8N80K , SWJ10N65D , SWJ13N65K2 , SWJ20N65K , SWJ4N80D , SWJ5N70K , SWJ6N90D .
History: NCEP055N85D | UPA2351T1G | SI2342DS-T1 | WMN13N65EM | BLP028N10-B | 2SK1620L | CED730G
History: NCEP055N85D | UPA2351T1G | SI2342DS-T1 | WMN13N65EM | BLP028N10-B | 2SK1620L | CED730G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226