SWI830D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWI830D1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.54 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWI830D1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWI830D1 даташит

 ..1. Size:1198K  samwin
 swp830d1 swi830d1 swd830d1 swf830d1.pdf pdf_icon

SWI830D1

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS 500V Features ID 5A High ruggedness RDS(ON) 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application DC-DC LED PC 1 1

Другие IGBT... SWI70N10V, SWI7N60K, SWI7N65K, SWI7N65K2, SWI7N70K, SWI80N04V, SWI80N06V1, SWI80N08V1, IRF9540, SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, SWJ20N65K, SWJ4N80D, SWJ5N70K, SWJ6N90D