SWI8N80K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWI8N80K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 181 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SWI8N80K
SWI8N80K Datasheet (PDF)
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf

SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE
swp8n65d swi8n65d swd8n65d swf8n65d swnx8n65d.pdf

SW8N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F/TO-251NX MOSFET BVDSS : 650V Features TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F TO-251NX ID : 8A High ruggedness RDS(ON) : 1.1 Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 32nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:Charg
sw8n65db swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SW8N65DB N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFET Features BVDSS : 650V TO-251 TO-252 TO-220F TO-262N ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 3 1
swi8n65db swd8n65db swf8n65db swj8n65db.pdf

SW8N65DBN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 /TO-220F/TO-262N MOSFETFeatures BVDSS : 650VTO-251 TO-252TO-220F TO-262NID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.0)@VGS=10V RDS(ON) : 1.0 Low Gate Charge (Typ 34nC)2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 11 12 22 2 Application:LED, Charger, PC Power3 33 311. Gate 2. Drain
Другие MOSFET... SWI7N65K , SWI7N65K2 , SWI7N70K , SWI80N04V , SWI80N06V1 , SWI80N08V1 , SWI830D1 , SWI8N65D , IRFP260 , SWJ10N65D , SWJ13N65K2 , SWJ20N65K , SWJ4N80D , SWJ5N70K , SWJ6N90D , SWJ7N65DA , SWJ7N70K .
History: 2SK2159 | 2SK562 | SJMN230R70ZF | HY1310U | 2SK2139 | SWI5N30D | IXTT2N300P3HV
History: 2SK2159 | 2SK562 | SJMN230R70ZF | HY1310U | 2SK2139 | SWI5N30D | IXTT2N300P3HV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235