Справочник MOSFET. SWJ10N65D

 

SWJ10N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWJ10N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для SWJ10N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ10N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1319K  samwin
 swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf pdf_icon

SWJ10N65D

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1

Другие MOSFET... SWI7N65K2 , SWI7N70K , SWI80N04V , SWI80N06V1 , SWI80N08V1 , SWI830D1 , SWI8N65D , SWI8N80K , 12N60 , SWJ13N65K2 , SWJ20N65K , SWJ4N80D , SWJ5N70K , SWJ6N90D , SWJ7N65DA , SWJ7N70K , SWJ8N90KU .

History: AO4566 | CSD19537Q3 | SIR402DP | DAEMI056N090Z1B | IRF5M3710 | 2SK799 | AD2N60S

 

 
Back to Top

 


 
.