SWJ20N65K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWJ20N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SWJ20N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWJ20N65K даташит

 ..1. Size:1121K  samwin
 swp20n65k swf20n65k sww20n65k swj20n65k.pdf pdf_icon

SWJ20N65K

SW20N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-3P/TO-262N MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-3P TO-262N BVDSS 650V High ruggedness ID 20A Low RDS(ON) (Typ 0.16 )@VGS=10V RDS(ON) 0.16 Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 3 1. Gat

Другие IGBT... SWI80N04V, SWI80N06V1, SWI80N08V1, SWI830D1, SWI8N65D, SWI8N80K, SWJ10N65D, SWJ13N65K2, IRF9540N, SWJ4N80D, SWJ5N70K, SWJ6N90D, SWJ7N65DA, SWJ7N70K, SWJ8N90KU, SWK028P04, SWK028P04VT