Справочник MOSFET. SWK028P04

 

SWK028P04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWK028P04
   Маркировка: SW028P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 48 nC
   Время нарастания (tr): 58 ns
   Выходная емкость (Cd): 304 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для SWK028P04

 

 

SWK028P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:743K  samwin
 swk028p04.pdf

SWK028P04 SWK028P04

SW028P04 P-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features SOP-8 BVDSS : -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 23m)@VGS=-4.5V D ID : -7.5A D (Typ 19m)@VGS=-10V D RDS(ON) : 23m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S S Improved dv/dt Capability 19m @VGS=-10V S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) S(1,2,3) Application:

 0.1. Size:772K  samwin
 swk028p04vt.pdf

SWK028P04 SWK028P04

SW028P04VTP-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFETFeaturesSOP-8 BVDSS : -40V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 27m)@VGS=-4.5V ID : -7.5A56(Typ 21m)@VGS=-10V7RDS(ON) : 27m @VGS=-4.5V8 Low Gate Charge (Typ 60nC)4 Improved dv/dt Capability 21m @VGS=-10V3 100% Avalanche Tested 21 Application: DC-DC Converter, DMotor Control4. Gate 5

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top