SWK15N06V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWK15N06V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SWK15N06V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK15N06V даташит

 ..1. Size:887K  samwin
 swk15n06v.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15N06V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features BVDSS 60V SOP-8 D High ruggedness D ID 15A D Low RDS(ON) (Typ 8.5m )@VGS=4.5V D RDS(ON) 8.5m @VGS=4.5V (Typ 7.5m )@VGS=10V G Low Gate Charge (Typ 79nC) S 7.5m @VGS=10V S Improved dv/dt Capability S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) D Application DC

 7.1. Size:1004K  samwin
 swk15n04v swha15n04v.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15N04V N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS 40V DFN5*6 SOP8 5 ID 15A High ruggedness 6 1 8 7 Low RDS(ON) (Typ 6.5m )@VGS=4.5V 2 7 8 RDS(ON) 6.5m @ VGS=4.5V 6 3 (Typ 5.8m )@VGS=10V 4 3 4 5 5.8m @ VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) 2 1 Improved dv/dt Capability D 100% Avalanche Tested

 9.1. Size:830K  samwin
 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=-10V RDS(ON) 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 9.2. Size:830K  samwin
 sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=-10V RDS(ON) 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWK083R06VLS, SWK083R06VS, SWK083R06VSM, SWK110R03VT, SWK110R06VT, SWK120R45VT, SWK130R06VT, SWK15N04V, IRF530, SWK200R10VT, SWK230R45VT, SWK30N04V, SWL2N70D, SWMI4N60D, SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D