Справочник MOSFET. SWK15N06V

 

SWK15N06V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWK15N06V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SWK15N06V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWK15N06V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:887K  samwin
 swk15n06v.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15N06V N-channel Enhanced mode SOP-8 MOSFET Features BVDSS : 60V SOP-8 D High ruggedness D ID : 15A D Low RDS(ON) (Typ 8.5m)@VGS=4.5V D RDS(ON) : 8.5m@VGS=4.5V (Typ 7.5m)@VGS=10V G Low Gate Charge (Typ 79nC) S 7.5m@VGS=10V S Improved dv/dt Capability S 100% Avalanche Tested G(4) D(5,6,7,8) D Application:DC

 7.1. Size:1004K  samwin
 swk15n04v swha15n04v.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15N04V N-channel Enhanced mode SOP8/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS : 40V DFN5*6 SOP8 5 ID : 15A High ruggedness 6 1 8 7 Low RDS(ON) (Typ 6.5m)@VGS=4.5V 2 7 8 RDS(ON) : 6.5m@ VGS=4.5V 6 3 (Typ 5.8m)@VGS=10V 4 3 4 5 5.8m @ VGS=10V Low Gate Charge (Typ 49nC) 2 1 Improved dv/dt Capability D 100% Avalanche Tested

 9.1. Size:830K  samwin
 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

 9.2. Size:830K  samwin
 sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdf pdf_icon

SWK15N06V

SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS : -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID : -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m)@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=-10V RDS(ON) : 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWK083R06VLS , SWK083R06VS , SWK083R06VSM , SWK110R03VT , SWK110R06VT , SWK120R45VT , SWK130R06VT , SWK15N04V , AO4407 , SWK200R10VT , SWK230R45VT , SWK30N04V , SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D .

History: UF830L-TM3-T | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2 | ZXMP10A13FTA | RJU003N03FRA

 

 
Back to Top

 


 
.