Справочник MOSFET. SWMN4N65DD

 

SWMN4N65DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMN4N65DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWMN4N65DD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN4N65DD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:913K  samwin
 swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf pdf_icon

SWMN4N65DD

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2

Другие MOSFET... SWL2N70D , SWMI4N60D , SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , 5N65 , SWMN5N60D , SWMN6N65K , SWMN7N65J , SWMN7N65K , SWMN7N90D , SWMN8N65LA , SWN10N50K , SWN10N65K .

History: 2SK3031 | SVS11N65SD2TR | HCS80R1K4S | SPU07N20G | NCE65T180T | PMDPB56XN | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.