Справочник MOSFET. SWMN6N65K

 

SWMN6N65K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMN6N65K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWMN6N65K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN6N65K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  samwin
 swf6n65k swi6n65k swn6n65k swd6n65k swu6n65k swmn6n65k.pdf pdf_icon

SWMN6N65K

SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat

Другие MOSFET... SWMN10N65D , SWMN10N65K , SWMN12N65D , SWMN12N65DA , SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , SWMN5N60D , 13N50 , SWMN7N65J , SWMN7N65K , SWMN7N90D , SWMN8N65LA , SWN10N50K , SWN10N65K , SWN10N80K2 , SWN2N65K .

History: VSE008N03LS | 2SK580L | DMN6066SSS | NTMFS4841NHT1G | MCAC75N02 | IRFI4410ZGPBF | 2SK1300

 

 
Back to Top

 


 
.