SWMN6N65K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWMN6N65K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWMN6N65K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN6N65K даташит

 ..1. Size:987K  samwin
 swf6n65k swi6n65k swn6n65k swd6n65k swu6n65k swmn6n65k.pdf pdf_icon

SWMN6N65K

SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8 )@VGS=10V RDS(ON) 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat

Другие IGBT... SWMN10N65D, SWMN10N65K, SWMN12N65D, SWMN12N65DA, SWMN15N50D, SWMN15N65J, SWMN4N65DD, SWMN5N60D, 5N60, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, SWMN8N65LA, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2, SWN2N65K