SWMN6N65K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWMN6N65K
Маркировка: SW6N65K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SWMN6N65K Datasheet (PDF)
swf6n65k swi6n65k swn6n65k swd6n65k swu6n65k swmn6n65k.pdf
SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F