SWMN8N65LA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWMN8N65LA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWMN8N65LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN8N65LA даташит

 ..1. Size:564K  samwin
 swmn8n65la.pdf pdf_icon

SWMN8N65LA

SW8N65LA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET Features TO-220SF BVDSS 650V ID 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6 )@VGS=10V RDS(ON) 0.6 Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED, Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This po

Другие IGBT... SWMN15N50D, SWMN15N65J, SWMN4N65DD, SWMN5N60D, SWMN6N65K, SWMN7N65J, SWMN7N65K, SWMN7N90D, 18N50, SWN10N50K, SWN10N65K, SWN10N80K2, SWN2N65K, SWN2N70D, SWN3N80D, SWN4N50K, SWN4N65DA