Справочник MOSFET. SWMN8N65LA

 

SWMN8N65LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMN8N65LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN8N65LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  samwin
 swmn8n65la.pdf pdf_icon

SWMN8N65LA

SW8N65LA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET Features TO-220SF BVDSS : 650V ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10V RDS(ON) : 0.6 Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED, Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This po

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BRCS2N65IP | PHX20N06T | NDT6N70 | KF6N70I | NCE65T680 | IPD50R280CE | RW1E025RP

 

 
Back to Top

 


 
.