Справочник MOSFET. SWMN8N65LA

 

SWMN8N65LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWMN8N65LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWMN8N65LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWMN8N65LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  samwin
 swmn8n65la.pdf pdf_icon

SWMN8N65LA

SW8N65LA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET Features TO-220SF BVDSS : 650V ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10V RDS(ON) : 0.6 Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED, Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This po

Другие MOSFET... SWMN15N50D , SWMN15N65J , SWMN4N65DD , SWMN5N60D , SWMN6N65K , SWMN7N65J , SWMN7N65K , SWMN7N90D , 75N75 , SWN10N50K , SWN10N65K , SWN10N80K2 , SWN2N65K , SWN2N70D , SWN3N80D , SWN4N50K , SWN4N65DA .

History: AUIRFSL8403 | PSMN5R0-100PS | HTJ600N06 | PH6325L | VBE1638 | MMQ60R115PTH

 

 
Back to Top

 


 
.