SWMN8N65LA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWMN8N65LA
Маркировка: SW8N65LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 32 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWMN8N65LA
SWMN8N65LA Datasheet (PDF)
..1. Size:564K samwin
swmn8n65la.pdf
swmn8n65la.pdf
SW8N65LA N-channel Enhanced mode TO-220SF MOSFET Features TO-220SF BVDSS : 650V ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10V RDS(ON) : 0.6 Low Gate Charge (Typ 20nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED, Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This po
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
