SWN4N70K2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWN4N70K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SWN4N70K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWN4N70K2 даташит

 ..1. Size:907K  samwin
 swf4n70k2 swn4n70k2 swd4n70k2.pdf pdf_icon

SWN4N70K2

SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 ID 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15 )@VGS=10V RDS(ON) 1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S

 7.1. Size:1038K  samwin
 sw4n70d swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf pdf_icon

SWN4N70K2

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.2. Size:1038K  samwin
 swi4n70d swn4n70d swd4n70d swf4n70d.pdf pdf_icon

SWN4N70K2

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

 7.3. Size:855K  samwin
 swsi4n70d1 swn4n70d1 swnc4n70d1 swf4n70d1.pdf pdf_icon

SWN4N70K2

SW4N70D1 N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251S TO-251N TO-251N-S2 BVDSS 700V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1 )@VGS=10V RDS(ON) 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Adapter,LED,Charger 3 3 3 3 1 1. Gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWN2N65K, SWN2N70D, SWN3N80D, SWN4N50K, SWN4N65DA, SWN4N65DD, SWN4N65K2, SWN4N70D1, STP65NF06, SWN4N70L, SWN4N80D, SWN4N80K, SWN5N70K, SWN6N60D, SWN6N65K, SWN6N70DB, SWN7N65DA