Справочник MOSFET. SWP035R10E6S

 

SWP035R10E6S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP035R10E6S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 808 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00475 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP035R10E6S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP035R10E6S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  samwin
 swp035r10e6s.pdf pdf_icon

SWP035R10E6S

SW035R10E6SN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.1m)@VGS=10VID : 120A Low Gate Charge (Typ 96nC)RDS(ON) : 4.1m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter21. Gate 2.Drain 3.Source1General Des

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWP035R10E6S

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWP035R10E6S

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

 9.3. Size:728K  samwin
 swb038r10es swp038r10es.pdf pdf_icon

SWP035R10E6S

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWNB4N65DA , SWNC4N65DC , SWNC4N65DD , SWNC4N70D1 , SWNX8N65D , SWP020R03VLT , SWP030R04VT , SWP031R06ET , IRF740 , SWP036R10E8S , SWP038R04VT , SWP042R10ES , SWP046R08E8T , SWP046R08E9T , SWP046R68E8T , SWP050R68E8T , SWP050R95E8S .

History: OSG60R060HT3F | LDP9933ET1G | AOTF2146L | CEU4204 | HY029N10B

 

 
Back to Top

 


 
.