Справочник MOSFET. SWP046R08E8T

 

SWP046R08E8T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWP046R08E8T
   Маркировка: SW046R08E8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227.3 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 183 nC
   Время нарастания (tr): 85 ns
   Выходная емкость (Cd): 660 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SWP046R08E8T

 

 

SWP046R08E8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:737K  samwin
swp046r08e8t swb046r08e8t.pdf

SWP046R08E8T
SWP046R08E8T

SW046R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 150A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 183nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3

 4.1. Size:741K  samwin
swp046r08e9t swb046r08e9t.pdf

SWP046R08E8T
SWP046R08E8T

SW046R08E9TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5m)@VGS=10V ID : 160A Low Gate Charge (Typ 182nC)RDS(ON) : 4.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1 12 2Li Battery Protect Board, Inverter3 311. Gate 2.Drain 3.

 7.1. Size:800K  samwin
swp046r68e8t swb046r68e8t.pdf

SWP046R08E8T
SWP046R08E8T

SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m)@VGS=10V ID : 145A Low Gate Charge (Typ 145nC)RDS(ON) : 4.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,212 3Li Battery Protect Board, Inverter311. Gate 2.Drain

 9.1. Size:729K  samwin
swp042r10es swb042r10es.pdf

SWP046R08E8T
SWP046R08E8T

SW042R10ES N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS : 100V ID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.4m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.4m Low Gate Charge (Typ 106nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 3 Application: Synchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, In

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top