SWP046R08E9T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP046R08E9T
Маркировка: SW046R08E9T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 245 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 182 nC
Время нарастания (tr): 75 ns
Выходная емкость (Cd): 625 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SWP046R08E9T
SWP046R08E9T Datasheet (PDF)
swp046r08e9t swb046r08e9t.pdf
SW046R08E9TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5m)@VGS=10V ID : 160A Low Gate Charge (Typ 182nC)RDS(ON) : 4.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1 12 2Li Battery Protect Board, Inverter3 311. Gate 2.Drain 3.
swp046r08e8t swb046r08e8t.pdf
SW046R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 150A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 183nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3
swp046r68e8t swb046r68e8t.pdf
SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m)@VGS=10V ID : 145A Low Gate Charge (Typ 145nC)RDS(ON) : 4.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,212 3Li Battery Protect Board, Inverter311. Gate 2.Drain
swp042r10es swb042r10es.pdf
SW042R10ES N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS : 100V ID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.4m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.4m Low Gate Charge (Typ 106nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 3 Application: Synchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, In
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
