Справочник MOSFET. SWP051R08ES

 

SWP051R08ES Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP051R08ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 889 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP051R08ES

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP051R08ES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:662K  samwin
 swb051r08es swp051r08es.pdf pdf_icon

SWP051R08ES

SW051R08ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features BVDSS : 80V TO-263 TO-220 ID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.1m)@VGS=10V RDS(ON) : 5.1m Low Gate Charge (Typ 44nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 1 Li Battery Protect Board, Inverte

 9.1. Size:820K  samwin
 swp058r75e7t.pdf pdf_icon

SWP051R08ES

SW058R75E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 75V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

 9.2. Size:823K  samwin
 swp058r72e7t.pdf pdf_icon

SWP051R08ES

SW058R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

 9.3. Size:726K  samwin
 swp050r68e8t.pdf pdf_icon

SWP051R08ES

SW050R68E8TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 5.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.2m Low Gate Charge (Typ 129nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWP036R10E8S , SWP038R04VT , SWP042R10ES , SWP046R08E8T , SWP046R08E9T , SWP046R68E8T , SWP050R68E8T , SWP050R95E8S , IRF1404 , SWP055R68E7T , SWP056R68E7T , SWP058R06E7T , SWP058R65E7T , SWP058R72E7T , SWP058R75E7T , SWP060R65E7T , SWP060R68E7T .

History: ME7890ED | 2SK2324 | PK5G6EA | AP4525GEH | HSU1241 | HM6N70F | AP9569GM

 

 
Back to Top

 


 
.