SWP056R68E7T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWP056R68E7T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 266 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO220
SWP056R68E7T Datasheet (PDF)
swp056r68e7t swb056r68e7t.pdf

SW056R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 120A Low RDS(ON) (Typ 5.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) :5.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.
swp058r75e7t.pdf

SW058R75E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 75V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swp058r72e7t.pdf

SW058R72E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 72V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 107nC)RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swp050r68e8t.pdf

SW050R68E8TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 130A Low RDS(ON) (Typ 5.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.2m Low Gate Charge (Typ 129nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
Другие MOSFET... SWP042R10ES , SWP046R08E8T , SWP046R08E9T , SWP046R68E8T , SWP050R68E8T , SWP050R95E8S , SWP051R08ES , SWP055R68E7T , IRF640N , SWP058R06E7T , SWP058R65E7T , SWP058R72E7T , SWP058R75E7T , SWP060R65E7T , SWP060R68E7T , SWP062R08E8T , SWP062R68E7T .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement | 2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor