Справочник MOSFET. SWP068R08ET

 

SWP068R08ET Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP068R08ET
   Маркировка: SW068R08ET
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 242 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP068R08ET Datasheet (PDF)

 ..1. Size:853K  samwin
 swp068r08et swb068r08et.pdf pdf_icon

SWP068R08ET

SW068R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesBVDSS : 80VTO-220TO-263 High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 7.1m Low Gate Charge (Typ 59nC) Improved dv/dt Capability 21 100% Avalanche Tested1223 Application: Synchronous Rectification, 13Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain

 4.1. Size:782K  samwin
 swp068r08e8t.pdf pdf_icon

SWP068R08ET

SW068R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 80V High ruggednessID : 106A Low RDS(ON) (Typ 6.7m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 130nC)RDS(ON) : 6.7m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

 7.1. Size:775K  samwin
 swp068r68e7t swb068r68e7t.pdf pdf_icon

SWP068R08ET

SW068R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.So

 9.1. Size:784K  samwin
 swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs swu069r10vs.pdf pdf_icon

SWP068R08ET

SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262 MOSFET Features TO-252 TO-220 TO-262 DFN5*6 TO-251 BVDSS : 100V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 9.0m)@VGS=4.5V ID : 70A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10V 2 7 6 3 RDS(ON) : 9.0m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 45nC) 4 5 Improved dv/dt Capability 7.1m@VGS=10V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SWP30N06

 

 
Back to Top

 


 
.