Справочник MOSFET. SWP076R68E7T

 

SWP076R68E7T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP076R68E7T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP076R68E7T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP076R68E7T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:751K  samwin
 swp076r68e7t swb076r68e7t.pdf pdf_icon

SWP076R68E7T

SW076R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 7.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 70nC)RDS(ON) : 7.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:1029K  samwin
 swb072r08et swp072r08et.pdf pdf_icon

SWP076R68E7T

SW072R08ETN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220 BVDSS : 80V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 6.6m Low Gate Charge (Typ 60nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 21 1 Application:Synchronous Rectification, 2 23 3Inverter, Li Battery Protect Board11. Gate 2. Drain 3. So

 9.2. Size:766K  samwin
 swb075r06et swp075r06et.pdf pdf_icon

SWP076R68E7T

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

 9.3. Size:677K  samwin
 swp072r68e7t.pdf pdf_icon

SWP076R68E7T

SW072R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,23Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWP068R68E7T , SWP069R06VT , SWP070R08E7T , SWP072R06ET , SWP072R08ET , SWP072R68E7T , SWP072R72E7T , SWP075R08E7T , 5N60 , SWP078R08E8T , SWP078R08ET , SWP085R06V7T , SWP085R06VT , SWP085R68E7T , SWP086R68E7T , SWP088R06VT , SWP088R08E8T .

History: PHP45NQ15T | CJ3415 | CJBA3139K | CEU730G | GP1M020A060M | SFF25P20S2I-02 | STD85N3LH5

 

 
Back to Top

 


 
.