Справочник MOSFET. SWP088R06VT

 

SWP088R06VT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP088R06VT
   Маркировка: SW088R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP088R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  samwin
 swp088r06vt swb088r06vt.pdf pdf_icon

SWP088R06VT

SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 60V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V(Typ 8.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 10m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)8.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 12 2 23 3 Application: Electronic Ballast, Motor ControlSync

 6.1. Size:742K  samwin
 swp088r08e8t swb088r08e8t.pdf pdf_icon

SWP088R06VT

SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.4m Low Gate Charge (Typ 89nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:813K  samwin
 swp085r06v7t.pdf pdf_icon

SWP088R06VT

SW085R06V7TN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220BVDSS : 60V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 10.5m)@VGS=4.5V(Typ 8.3m)@VGS=10VRDS(ON) : 10.5m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 66nC)8.3m@VGS=10V1 Improved dv/dt Capability 23 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1. Gate 2.Drain 3.Source

 9.2. Size:755K  samwin
 swb085r68e7t swp085r68e7t.pdf pdf_icon

SWP088R06VT

SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.5m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.5m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.