Справочник MOSFET. SWP11N65D

 

SWP11N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP11N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP11N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP11N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  samwin
 swp11n65d swf11n65d swu11n65d.pdf pdf_icon

SWP11N65D

SW11N65D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-262 MOSFET TO-220 TO-220F TO-262 BVDSS : 650V Features ID : 11A High ruggedness RDS(ON) : 0.75 Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 43nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Source

 9.1. Size:654K  samwin
 swp110r06vt.pdf pdf_icon

SWP11N65D

SW110R06VTN-channel Enhanced mode TO-220 MOSFETFeaturesTO-220 BVDSS : 60V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V(Typ 9.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 69nC)9.6m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 223 Application: Electronic Ballast, Motor Control, Synchronous Rectificati

Другие MOSFET... SWP090R08ET , SWP100N10A , SWP100N10B , SWP100R10VT , SWP10N50K , SWP10N65D , SWP10N65K , SWP110R06VT , IRFP450 , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B .

History: FS10UM-9 | 50N06A | AM7431P | SPP03N60S5 | 2N65E | AP9475GM

 

 
Back to Top

 


 
.