SWP13N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWP13N50D
Маркировка: SW13N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время нарастания (tr): 54 ns
Выходная емкость (Cd): 189 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220
SWP13N50D Datasheet (PDF)
swf13n50d swp13n50d.pdf
SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS : 500V Features TO-220 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf
SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
