SWP19N10 - описание и поиск аналогов

 

SWP19N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWP19N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP19N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP19N10 даташит

 ..1. Size:636K  samwin
 swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf pdf_icon

SWP19N10

SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS 100V TO-220 TO-252 TO-251 ID 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1 )@VGS=10V RDS(ON) 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa

Другие MOSFET... SWP10N65K , SWP110R06VT , SWP11N65D , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , BS170 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D .

History: SP8M3 | SL9N150T | NTMFS4119N | MTE050N15BRH8 | AOD4N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.