SWP19N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

SWP19N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SWP19N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP19N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP19N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:636K  samwin
 swp19n10 swd19n10 swi19n10.pdf pdf_icon

SWP19N10

SW19N10 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252/TO-251 MOSFET Features BVDSS :100V TO-220 TO-252 TO-251 ID : 19A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.1)@VGS=10V RDS(ON) : 0.1 Low Gate Charge (Typ 15nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 3 Li Battery Protect Boa

Другие MOSFET... SWP10N65K , SWP110R06VT , SWP11N65D , SWP13N50D , SWP13N65K2 , SWP160R12VT , SWP17N80K , SWP180N75A , BS170 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D .

 

 
Back to Top

 


 
.