Справочник MOSFET. SWP640D

 

SWP640D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP640D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP640D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP640D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWP640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS : 200V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , 13N50 , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D .

 

 
Back to Top

 


 
.