SWP640D - описание и поиск аналогов

 

SWP640D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWP640D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SWP640D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP640D даташит

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWP640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS 200V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... SWP17N80K , SWP180N75A , SWP19N10 , SWP20N65K , SWP3205B , SWP340R10VT , SWP540 , SWP630A1 , 5N60 , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , SWP830D1 , SWP8N65D , SWP9N25D .

History: SL6800C | AP4800AGM | FDS8880 | RDD020N60 | SLH60R075GTDI

 

 

 

 

↑ Back to Top
.