Справочник MOSFET. SWP640D

 

SWP640D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP640D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP640D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWP640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS : 200V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application: LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UT3N06G-TN3-R | UT3N10L-K08-3030-R

 

 
Back to Top

 


 
.