Справочник MOSFET. SWP830D1

 

SWP830D1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWP830D1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 123.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.54 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SWP830D1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWP830D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  samwin
 swp830d1 swi830d1 swd830d1 swf830d1.pdf pdf_icon

SWP830D1

SW830D1 N-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-252/TO-220F MOSFET TO-220 TO-251 TO-252 TO-220F BVDSS : 500V Features ID : 5A High ruggedness RDS(ON) : 1.33 Low RDS(ON) (Typ 1.33)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 3 Application: DC-DCLEDPC 1 1

Другие MOSFET... SWP540 , SWP630A1 , SWP640D , SWP70N10V , SWP740D , SWP7N65K , SWP7N70K , SWP80N08V1 , CS150N03A8 , SWP8N65D , SWP9N25D , SWP9N50D , SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.