SWT10N50K - описание и поиск аналогов

 

SWT10N50K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT10N50K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT10N50K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT10N50K даташит

 ..1. Size:1355K  samwin
 swf10n50k swp10n50k swt10n50k swn10n50k swd10n50k.pdf pdf_icon

SWT10N50K

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS 500V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26 )@VGS=10V RDS(ON) 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application LED, PC Power, Cha

Другие MOSFET... SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , 7N60 , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.