Справочник MOSFET. SWT10N50K

 

SWT10N50K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWT10N50K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SWT10N50K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT10N50K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1355K  samwin
 swf10n50k swp10n50k swt10n50k swn10n50k swd10n50k.pdf pdf_icon

SWT10N50K

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS : 500V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application:LED, PC Power, Cha

Другие MOSFET... SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , MMIS60R580P , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F .

History: TMU7N65Z | 2N5020 | OSG65R580FEF | 8N60KG-TF2-T | SL11N65CK | SSM3K03TE | AP4511GD

 

 
Back to Top

 


 
.