SWT10N50K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWT10N50K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SWT10N50K
SWT10N50K Datasheet (PDF)
swf10n50k swp10n50k swt10n50k swn10n50k swd10n50k.pdf

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS : 500V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application:LED, PC Power, Cha
Другие MOSFET... SWR601Q , SWSA1N60DC , SWSA2N40D , SWSI2N40DC , SWSI4N40DC , SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , MMIS60R580P , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , SWT38N60K , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F .
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR
History: SSB80R160SFD | SVS11N70DD2TR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840