SWT38N60K - описание и поиск аналогов

 

SWT38N60K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWT38N60K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для SWT38N60K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWT38N60K даташит

 ..1. Size:604K  samwin
 swt38n60k.pdf pdf_icon

SWT38N60K

SW38N60K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features BVDSS 600V TO-247 ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.084 )@VGS=10V RDS(ON) 0.084 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger LED UPS Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 7.1. Size:654K  samwin
 swt38n65k2.pdf pdf_icon

SWT38N60K

SW38N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 79m Low RDS(ON) (Typ 79m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 71nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

 7.2. Size:612K  samwin
 swt38n65k.pdf pdf_icon

SWT38N60K

SW38N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.09 )@VGS=10V RDS(ON) 0.09 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger LED UPS Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

 7.3. Size:860K  samwin
 swt38n65k2f swx38n65k2f.pdf pdf_icon

SWT38N60K

SW38N65K2F N-channel Enhanced mode TO-247/TO-220FB MOSFET Features TO-247 TO-220FB BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 83m )@VGS=10V RDS(ON) 83m Low Gate Charge (Typ 71nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application Charge, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source Gener

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWSI4N60D , SWSI4N60DA , SWSI4N70D1 , SWT10N50K , SWT20N50D , SWT20N65D , SWT22N65D , SWT24N50D , IRF9640 , SWT38N65K , SWT38N65K2 , SWT38N65K2F , SWT38N70K , SWT45N60K2 , SWT45N60K2F , SWT45N65K2 , SWT45N65K2F .

History: 2SK2157C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.