SWU8N65K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWU8N65K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 35 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO262
SWU8N65K Datasheet (PDF)
swu8n65k.pdf
SW8N65K N-channel Enhanced mode TO-262 MOSFET Features BVDSS : 650V TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.53)@VGS=10V RDS(ON) : 0.53 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 Application:LED,Charger,PC Power 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MOS
swu8n60d swf8n60d.pdf
SW8N60D N-channel Enhanced mode TO-262/TO-220F MOSFET Features TO-262 BVDSS : 600V TO-220F ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.92)@VGS=10V RDS(ON) : 0.92 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 Application:LED,Charger,PC Power 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 General Descr
swf8n80k swi8n80k swn8n80k swd8n80k swu8n80k.pdf
SW8N80K N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 MOSFET Features BVDSS : 800V TO-220F TO-251 TO-251N TO-252 TO-262 ID : 8A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.67)@VGS=10V RDS(ON) : 0.67 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 3 3 3 3 Application:Adapter,LE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
