SP8013 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SP8013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 335 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
Тип корпуса: TSON3.3X3.3
SP8013 Datasheet (PDF)
sp8013.pdf
GreenProductSP8013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.7.9 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-20V -20A11.2 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4G6 3D S7 2D SPin 1D 8 1STSON 3.3 x 3.3(TA=25
sp8010e.pdf
GreenProductSP8010EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.4.3 @ VGS=10VSuface Mount Package.24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected.7.0 @ VGS=4V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918