SP8013 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SP8013
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 335 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
Тип корпуса: TSON3.3X3.3
Аналог (замена) для SP8013
SP8013 Datasheet (PDF)
sp8013.pdf
GreenProductSP8013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.7.9 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-20V -20A11.2 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4G6 3D S7 2D SPin 1D 8 1STSON 3.3 x 3.3(TA=25
sp8010e.pdf
GreenProductSP8010EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.4.3 @ VGS=10VSuface Mount Package.24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected.7.0 @ VGS=4V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3
Другие MOSFET... SP8255 , FDS6984AS , SP8076EL , FDS6986AS , SP8076E , FDS6990AS , SP8076 , FDS6994S , 2N7002 , FDS8447 , FDS8449 , FDS8449F085 , FDS86106 , SP8010E , FDS86140 , SP8009EL , FDS86141 .
History: AP80T10GP | 15N10B | AP95T07AGP | AP2323AGN | FDS6910 | SI2309A | STN4260
History: AP80T10GP | 15N10B | AP95T07AGP | AP2323AGN | FDS6910 | SI2309A | STN4260
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794



