Справочник MOSFET. SP8013

 

SP8013 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8013
   Маркировка: 8013
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
   trⓘ - Время нарастания: 335 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm
   Тип корпуса: TSON3.3X3.3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8013 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  samhop
 sp8013.pdf pdf_icon

SP8013

GreenProductSP8013aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.7.9 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-20V -20A11.2 @ VGS=-4.5VESD Protected.D 5 4G6 3D S7 2D SPin 1D 8 1STSON 3.3 x 3.3(TA=25

 9.1. Size:112K  samhop
 sp8010e.pdf pdf_icon

SP8013

GreenProductSP8010EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.4.3 @ VGS=10VSuface Mount Package.24V 26A 4.9 @ VGS=6V ESD Protected.7.0 @ VGS=4V D 5 4 GD 6 3S7 2D SPin 18 1D STSON 3.3 x 3.3

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEP40PT15D | SP3900

 

 
Back to Top

 


 
.