SWY640D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWY640D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWY640D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWY640D даташит

 ..1. Size:1088K  samwin
 swp640d swy640d swb640d.pdf pdf_icon

SWY640D

SW640D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220FT/TO-263 MOSFET TO-220 TO-220FT TO-263 BVDSS 200V Features ID 18A High ruggedness RDS(ON) 0.15 Low RDS(ON) (Typ 0.15 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 38nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application LED , Adaptor 1. Gate 2. Drain 3. Sour

Другие IGBT... SWW20N65K, SWWF7N90D, SWX090R15ET, SWX170R15ET, SWX38N65K2F, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, P55NF06, SWY7N65D, SWYN4N65DD, SWYN7N65D, SWYS069R10VS, S10H06R, S10H06RN, S10H06RP, S10H06S