SWYN4N65DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWYN4N65DD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWYN4N65DD
SWYN4N65DD Datasheet (PDF)
swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2
Другие MOSFET... SWX090R15ET , SWX170R15ET , SWX38N65K2F , SWY10N65D , SWY12N65D , SWY4N60D , SWY640D , SWY7N65D , STP75NF75 , SWYN7N65D , SWYS069R10VS , S10H06R , S10H06RN , S10H06RP , S10H06S , S10H07M , S10H08R .
History: IRFR130A | AOTS21319C
History: IRFR130A | AOTS21319C



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ240N03D | JMTQ240N03A | JMTQ240C03D | JMTQ230N04D | JMTQ220N04D | JMTQ200P03A | JMTQ190N03A | JMTQ170C04D | JMTQ160P03A | JMTQ130P04A | JMTQ130N04D | JMTQ120N04D | JMTQ120N03D | JMTQ120N03A | JMTQ120C03D | JMTQ11DP03A
Popular searches
c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet