SWYN4N65DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWYN4N65DD
Маркировка: SW4N65DD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWYN4N65DD
SWYN4N65DD Datasheet (PDF)
swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
c945 | ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet