SWYN4N65DD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SWYN4N65DD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SWYN4N65DD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWYN4N65DD даташит

 ..1. Size:913K  samwin
 swn4n65dd swnc4n65dd swf4n65dd swmn4n65dd swd4n65dd swyn4n65dd.pdf pdf_icon

SWYN4N65DD

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS 650V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4 )@VGS=10V RDS(ON) 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2

Другие IGBT... SWX090R15ET, SWX170R15ET, SWX38N65K2F, SWY10N65D, SWY12N65D, SWY4N60D, SWY640D, SWY7N65D, 7N65, SWYN7N65D, SWYS069R10VS, S10H06R, S10H06RN, S10H06RP, S10H06S, S10H07M, S10H08R