Справочник MOSFET. S80N08S

 

S80N08S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: S80N08S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 127 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 385 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для S80N08S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S80N08S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  cn si-tech
s80n08r s80n08s s80n08rn s80n08rp.pdfpdf_icon

S80N08S

S80N08R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=80V,ID=84A DC Motor Control Rds(on)(typ)=7m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

 8.1. Size:1245K  jilin sino
jcs80n08i.pdfpdf_icon

S80N08S

N RN-CHANNEL MOSFET JCS80N08I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 80V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive ap

 8.2. Size:946K  feihonltd
fhs80n08b fhd80n08b.pdfpdf_icon

S80N08S

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 8.3. Size:168K  semihow
hrs80n08k.pdfpdf_icon

S80N08S

December 2014BVDSS = 80 VRDS(on) typ HRS80N08K ID = 120 A80V N-Channel Trench MOSFETTO-220FFEATURES Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology123 Excellent Switching Characteristics1.Gate 2. Drain 3. Source Unrivalled Gate Charge : 60nC (Typ.) Extended Safe Operating Area Lower RDS(ON) : 6.7 (Typ.) @VGS=10V 100% Avalanche Test

Другие MOSFET... S70N08ZRP , S8045R , S8045RN , S8045RP , S8045S , S80N08R , S80N08RN , S80N08RP , IRF840 , S80N10RN , S80N10RP , S80N22T , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S .

History: CEM9926 | BUK954R4-40B | PH4330L | BUK92150-55A | NCE65N180F | NP84N055NLE

 

 
Back to Top

 


 
.