S85N16R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: S85N16R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для S85N16R
S85N16R Datasheet (PDF)
s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD
Другие MOSFET... S80N10RN , S80N10RP , S80N22T , S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , IRFB4110 , S85N16RN , S85N16RP , S85N16S , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B .
History: NDD04N50Z
History: NDD04N50Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550