S85N16S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: S85N16S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для S85N16S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S85N16S даташит

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf pdf_icon

S85N16S

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFET Features Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m @Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description D D G G G G G D D D

Другие IGBT... S85N042R, S85N042RN, S85N042RP, S85N042S, S85N048S, S85N16R, S85N16RN, S85N16RP, IRFZ44, CRST037N10N, CRSS035N10N, DP3080, HY3506P, HY3506B, LTP70N06P, NCE65TF130T, HG3P056N20S