Справочник MOSFET. S85N16S

 

S85N16S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: S85N16S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.6 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 153 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 81 nC
   Время нарастания (tr): 46 ns
   Выходная емкость (Cd): 665 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для S85N16S

 

 

S85N16S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf

S85N16S S85N16S

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top