S85N16S - аналоги и даташиты транзистора

 

S85N16S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: S85N16S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 665 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для S85N16S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

S85N16S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2322K  cn si-tech
 s85n16r s85n16s s85n16rn s85n16rp.pdf pdf_icon

S85N16S

S85N16R/S/RN/RP SI-TECH SEMICONDUCTOR CO.,LTD N-Channel Power MOSFETFeatures Applications VDS=85V,ID=153A DC Motor Control Rds(on)(typ)=4.6m@Vgs=10V DC-DC Converters 100% Avalanche Tested BMS 100% Rg Tested SMPS Lead-Free (RoHS Compliant) Automotive Environment Internal Circuit and Pin Description DDGG G GG D DD

Другие MOSFET... S85N042R , S85N042RN , S85N042RP , S85N042S , S85N048S , S85N16R , S85N16RN , S85N16RP , 10N60 , CRST037N10N , CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S .

 

 
Back to Top

 


 
.