Справочник MOSFET. HGA025N06S

 

HGA025N06S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA025N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA025N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA025N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:774K  cn hunteck
 hga025n06s.pdf pdf_icon

HGA025N06S

HGA025N06S P-160V N-Ch Power MOSFETFeature60 VVDS High Speed Power SwitchingTO-220F 1.9RDS(on),typ m Enhanced Body diode dv/dt capability109 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead FreeApplication Synchronous Rectification in SMPS Hard Switching and High Speed CircuitDrainPin2 Powe

 9.1. Size:919K  cn hunteck
 hga028ne6al.pdf pdf_icon

HGA025N06S

HGA028NE6AL P-165V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching, Logic Level2.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability3.7RDS(on),typ VGS=4.5V mW Enhanced Avalanche Ruggedness82 AID 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching an

Другие MOSFET... CRSS035N10N , DP3080 , HY3506P , HY3506B , LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , STP75NF75 , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , HGA045NE4SL , HGA046NE6A , HGA046NE6AL , HGA053N06S , HGA053N06SL .

History: NVD5C688NL | BLM08N10-P | FQD4N25TM | LSG70R640GT | DMTH6005LK3Q | VBE1606 | 2SK1842

 

 
Back to Top

 


 
.