Справочник MOSFET. HGA045NE4SL

 

HGA045NE4SL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HGA045NE4SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 756 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для HGA045NE4SL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGA045NE4SL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  cn hunteck
 hga045ne4sl.pdf pdf_icon

HGA045NE4SL

HGA045NE4SL P-145V N-Ch Power MOSFET45 VVDSFeature3.5RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.6RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability59 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMP

 9.1. Size:772K  cn hunteck
 hga040n06s.pdf pdf_icon

HGA045NE4SL

HGA040N06S P-160V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.4RDS(on),typ m Optimized for high speed switching76 AID (Sillicon Limited) Enhanced Body diode dv/dt capability Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed CircuitP

 9.2. Size:902K  cn hunteck
 hga046ne6a.pdf pdf_icon

HGA045NE4SL

P-1HGA046NE6A65V N-Ch Power MOSFETFeature65 VVDS High Speed Power Switching4.7RDS(on),typ VGS=10V mW Enhanced Body diode dv/dt capability53 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMPSDrain Hard Switching and High Speed Circuit Pin

 9.3. Size:780K  cn hunteck
 hga040n06sl.pdf pdf_icon

HGA045NE4SL

HGA040N06SL P-160V N-Ch Power MOSFET60 VVDSFeature3.2RDS(on),typ VGS=10V m Optimized for high speed switching, Logic Level4.4RDS(on),typ VGS=4.5V m Enhanced Body diode dv/dt capability69 AID (Sillicon Limited) Enhanced Avalanche Ruggedness 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Lead Free, Halogen FreeApplication Synchronous Rectification in SMP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LTP70N06P , NCE65TF130T , HG3P056N20S , HG3P095N25S , HGA025N06S , HGA028NE6AL , HGA040N06S , HGA040N06SL , 2N7000 , HGA046NE6A , HGA046NE6AL , HGA053N06S , HGA053N06SL , HGA055N10SL , HGA058N08SL , HGA059N08A , HGA059N12S .

History: YJG70G06A | BF1208D | IRFI840GLCPBF | 2SK2793 | OSG60R022HT3ZF | TPM8205ATS6 | CJAC10TH10

 

 
Back to Top

 


 
.